Infineon IPB65R150CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 1.88
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPB65R150CFDATMA1398 000
6h
Farnell
2
IPB65R150CFDATMA101Cut Tape
7h
Win SourceWS-IPB65R150CFDATMA115 00012
7h
Worldway ElectronicsIPB65R150CFDATMA118 3277Tape & Reel
7h
Verical
2
IPB65R150CFDATMA1381 000143

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPB65R150CFDATMA1
InfineonIPB65R150CFDAATMA1
Price @ 1000
$ 1.88
$ 2.187
Stock
1,608,404
112,444
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
22.4 A
22.4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
150 mΩ
150 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
195.3 W
195.3 W
Input Capacitance
2.34 nF
2.34 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-11-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29

Pièces détachées

InfineonIPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK / N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails
InfineonIPB65R095C7ATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Détails
STMicroelectronicsSTB33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
Détails
VishaySIHB20N50E-GE3
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
VishaySIHB22N60S-E3
S-Series N-Ch 650 V 0.19 Ohm Surface Mount High Voltage Power Mosfet - D2PAK-3
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB65R150CFDATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 650V, 22.4A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22.4A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: -; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CFD2 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Images

TME
Newark
Farnell
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000907034