Infineon IPB049NE7N3GATMA1
$ 1.36
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IPB049NE7N3GATMA1 | 9 921 | 7h | |||||||||
| DigiKey | IPB049NE7N3GATMA1CT-ND | 349 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | IPB049NE7N3GATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 6h | |||||||
| Mouser | 726-IPB049NE7N3G | 129 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | IPB049NE7N3GATMA1 | 1 000 | 187 |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-05-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Pièces détachées
InfineonIPB034N06L3GATMA1
167W 20V 2.2V 59nC@ 4.5V 1N 60V 3.4m¦¸@ 10V 90A 10nF@ 30V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
Descriptions
Descriptions de Infineon IPB049NE7N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.1V; P
The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.57 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time14 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité