Infineon IPA80R1K4CEXKSA2

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
$ 0.572
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPA80R1K4CEXKSA21151
Rochester ElectronicsIPA80R1K4CEXKSA22 079
5h
DigiKeyIPA80R1K4CEXKSA2-ND31Tube
AvnetIPA80R1K4CEXKSA201K
7h
Future Electronics
2
IPA80R1K4CEXKSA20500Tube

Fiches techniques et documents

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IHS

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPA80R1K4CEXKSA2
Rochester ElectronicsIPA80R1K4CEXKSA1
Price @ 1000
$ 0.572
$ 0.515
Stock
173,742
32,613
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
3.9 A
3.9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.4 Ω
1.4 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
31 W
31 W
Input Capacitance
570 pF
570 pF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

onsemiFCPF1300N80ZYD
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 4 A, 1.3 Ω, TO-220F
Détails
STMicroelectronicsSTP7LN80K5
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Détails
STMicroelectronicsSTF7LN80K5
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Détails
onsemiFCPF1300N80Z
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 4 A, 1.3 Ω, TO-220F
Détails
STMicroelectronicsSTF6N60M2
N-channel 600 V, 1.06 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Détails
onsemiFQPF7N60
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 7.4 A, 1 Ω, TO-220F
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPA80R1K4CEXKSA2 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
Mosfet, N-Ch, 800V, 3.9A, To-220Fp-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):1.22Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPA80R1K4CEXKSA2
Newark
800V CoolMOS CE is Infineons high performance device family offering 800 volts break down voltage. The CE targets consumer electronics applications as well as Lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS family, Infineon combines long experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R DS(on)*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @ 400V; Low gate charge (Q g); Field-proven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding price/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: LED lighting
Infineon

Images

Newark
RS
Future Electronics
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPA80R1K4CE
  • SP001313390