Infineon IKW30N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 1.89
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Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW20NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
STMicroelectronicsSTGW30NC120HD
N-Channel 1200 V 30 A Very Fast PowerMESH IGBT - TO-247
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
STMicroelectronicsSTGW30NC60WD
Transistor IGBT Chip N-Channel 600 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Descriptions

Descriptions de Infineon IKW30N60TFKSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
187W 60A 600V FS(Field Stop) TO-247-3-1 IGBT Transistors / Modules ROHS
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT, N, 600V, 30A, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:25A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:187W; Power Dissipation Pd:187W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Hard-switching 600 V, 30 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 30 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 600 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1.5 / Emitter Leakage Current nA = 100 / Power Dissipation (Pd) W = 187 / Gate Emitter Voltage (Vge) V = 20 / Operating Temperature Min. °C = -40 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IKW30N60T
  • SP000054887