Infineon IGW30N60TFKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
$ 1.406
Production
Page du fabricantFiche technique

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIGW30N60TFKSA11501
Arrow Electronics
2
IGW30N60TFKSA11 1561
Rochester ElectronicsIGW30N60TFKSA114
25m
DigiKeyIGW30N60TFKSA1-ND971Tube
AvnetIGW30N60TFKSA10480
3d

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTGW20NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
STMicroelectronicsSTGW30NC120HD
N-Channel 1200 V 30 A Very Fast PowerMESH IGBT - TO-247
Détails
InfineonIHW30N65R5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Détails
STMicroelectronicsSTGW30V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Détails
InfineonIKW30N65WR5XKSA1
650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Détails
InfineonIKW30N60TFKSA1
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGW30N60TFKSA1 fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Verical
IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
EBV Elektronik
600 V IGBT in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
ODG (Origin Data Global)
TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
EBEE
187W 1.5V 600V 45A TO-247 15.9mm*5.03mm*20.9mm
Unikeyic (ICkey)
IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Vigor Components
IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
SHENGYU ELECTRONICS
IGW30N60T Infineon Technologies
YIC International
Hard-switching 600 V, 30 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in TO-247 package for significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept.
Infineon
IGBT,600V,30A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:187W
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Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IGW30N60T
  • SP000054925