Infineon IHW30N120R2

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
$ 1.77
Obsolete
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Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-03-15
LTD Date2015-09-15

Pièces détachées

Igbt Single Transistor, 30 A, 2 V, 156 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 30A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
International RectifierIRG7PH28UD1PBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247AC Tube

Descriptions

Descriptions de Infineon IHW30N120R2 fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin TO-247 Tube
IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
REVERSE CONDUCTING IGBT
new, original packaged
IGBT+ DIODE,1200V,30A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:390W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:390W

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA