Infineon IGW50N65H5FKSA1

Name: Infineon IGW50N65H5FKSA1
Brand: Infineon
SKU: IGW50N65H5FKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

$ 1.56

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	IGW50N65H5FKSA1	300	30				1,648	1,128	1,128	1d
Arrow Electronics	IGW50N65H5FKSA1	88	1		1,933	1,933	1,933	1,933	1,933
Rochester Electronics	IGW50N65H5FKSA1	170					1,360	1,220	1,140	22h
DigiKey	IGW50N65H5FKSA1-ND	478	1	Tube	4,220	4,220	2,317	1,590	1,344
RS (Formerly Allied Electronics)	IGW50N65H5	0	30	Bulk			4,040	3,910	3,910	14h

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IHS

Datasheet14 pagesIl y a 0 an

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-11-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIGW50N65F5FKSA1

Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3

Détails

InfineonIKW40N65H5FKSA1

650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation

Détails

InfineonIGW40N65F5FKSA1

IGBT 650V 74A TO247-3 / IGBT 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3

Détails

STMicroelectronicsSTGW39NC60VD

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Détails

onsemiNGTB40N65FL2WG

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Détails

onsemiFGH40T65UPD

Trans IGBT Chip N=-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGW50N65H5FKSA1 fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

IGW50N65H5 Series 650 V 80 A Through Hole TRENCHSTOPTM 5 Gen IGBT - TO247-3

Future Electronics

Infineon IGW50N65H5FKSA1 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

TodayComponents

TRANSISTOR, HIGH SPEED 5 IGBT, N-CHANNEL, 650V, 50A, 175C, PG-TO247-3

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

EBV Elektronik

305W 1.65V 650V 80A TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm

UnikeyIC

650 V IGBT in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS

Infineon SCT

TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

IGBT TrenchStop N-Channel 650V 50A TO247

RS APAC

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Fly-Wing Technology

IGW50N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT

Vigor Components

IGBT, 650V, 50A, TO247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 305W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins;

Farnell

The 650 V, 50 A hard-switching IGBT TRENCHSTOP™ 5 in TO-247 package redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. This family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.

Infineon

Images

element14 APAC

Farnell

TME

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :