Infineon IGW40N65F5FKSA1

Igbt 650V 74A TO247-3 / Igbt 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3
$ 1.725
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIGW40N65F5FKSA1741
Arrow ElectronicsIGW40N65F5FKSA11901
DigiKeyIGW40N65F5FKSA1-ND1311Tube
AvnetIGW40N65F5FKSA10480
4d
Future ElectronicsIGW40N65F5FKSA1030Tube

Fiches techniques et documents

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IHS

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TME

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIGW40N65H5FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
InfineonIKW40N65F5FKSA1
Trans IGBT Chip N=-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
InfineonIKW40N65H5FKSA1
650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation
Détails
onsemiNGTG35N65FL2WG
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
onsemiHGTG20N60A4
HGTG20N60A4 Series 600 V 70 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247
Détails
onsemiHGTG30N60B3
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGW40N65F5FKSA1 fournies par ses distributeurs.

IGBT 650V 74A TO247-3 / IGBT 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3
Win Source
Infineon’s new TRENCHSTOP™5 IGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.
Infineon
IGBT, 650V, 40A, TO247-3; DC Collector Current: 40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 255W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins;
Farnell
Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 40 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 650 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1.6 / Emitter Leakage Current nA = 100 / Power Dissipation (Pd) W = 250 / Gate Emitter Voltage (Vge) V = 20 / Operating Temperature Min. °C = -40 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260
Distrelec

Images

Newark
Farnell
TME
TME
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IGW40N65F5
  • SP000973424