Infineon IGP50N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
$ 1.433
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
2
IGP50N60TXKSA1451
Rochester ElectronicsIGP50N60TXKSA17 636
14h
AvnetIGP50N60TXKSA10500
3d
FarnellIGP50N60TXKSA15151
13h
Mouser
2
726-IGP50N60TXKSA12931Tube

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet12 pagesIl y a 10 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTGP7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
Détails
STMicroelectronicsSTGP10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 20A 65W TO220
Détails
InfineonIKP10N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Détails
STMicroelectronicsSTGP14NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
Détails
InfineonIKA15N60TXKSA1
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package, PG-TO220-3, RoHS
Détails
onsemiSGP23N60UFTU
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGP50N60TXKSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3
TodayComponents
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IHS
IGBT,600V,50A,TO220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:333W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; Power Dissipation Max:333W
element14 APAC
Hard-switching 600 V, 50 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Infineon

Images

element14 APAC
TME
Newark
RS
RS
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IGP50N60T
  • SP000683046