onsemi SGP23N60UFTU
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTGP7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
STMicroelectronicsSTGP10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 20A 65W TO220
STMicroelectronicsSTGP14NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
InfineonIKP10N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descriptions
Descriptions de onsemi SGP23N60UFTU fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
ULTRA-FAST IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
SGP23N60UF Series 600 V 23 A Flange Mount PT IGBT - TO-220-3
Igbt, 600V, 23A, 150Deg C, 100W Rohs Compliant: Yes |Onsemi SGP23N60UFTU
Fairchild’s UF series IGBTs provide low conduction and switching losses. UF series is designed for the applications such as general inverters and PFC where High Speed Switching is required feature.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current23 A
Current Rating23 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time280 ns
Max Collector Current23 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation100 W
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité