Infineon IGP06N60TXKSA1

Name: Infineon IGP06N60TXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IGP06N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 0.466

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	IGP06N60TXKSA1	367	1		1,560	1,100	0,652	0,466	0,365
Arrow Electronics	IGP06N60TXKSA1	500	1		0,579	0,574	0,574	0,574	0,574
Rochester Electronics	IGP06N60TXKSA1	24 385					0,482	0,400	0,356	7h
DigiKey	IGP06N60TXKSA1-ND	146	1	Tube	1,600	1,600	0,671	0,671	0,671
Avnet	IGP06N60TXKSA1	0	1K							2d

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Datasheet12 pagesIl y a 12 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-11-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-03-15

LTD Date2026-09-15

Pièces détachées

InfineonIKP06N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Détails

STMicroelectronicsSTGP6NC60HD

STMICROELECTRONICS STGP6NC60HD IGBT Single Transistor, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 Pins

Détails

InfineonIKA15N60TXKSA1

600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package, PG-TO220-3, RoHS

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STMicroelectronicsSTGPL6NC60DI

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 56000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Détails

InfineonSGP04N60XKSA1

IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 9.4A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Détails

STMicroelectronicsSTGP10NC60KD

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 20A 65W TO220

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGP06N60TXKSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

IGP06N60T Series 600 V 12 A Through Hole Low Loss IGBT - PG-TO-220-3

Future Electronics

Igbt, 600V, 12A, 88W, To-220 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGP06N60TXKSA1

Newark

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

Hard-switching 600 V, 6 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Infineon

Images

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :