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STMicroelectronics STGP6NC60HD

STMICROELECTRONICS STGP6NC60HD IGBT Single Transistor, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
$ 0.737
Production
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Newark
STGP6NC60HD
920
1
USD
2,020
1,450
1,140
0,986
0,787
Arrow Electronics
STGP6NC60HD
793
1
USD
0,503
0,503
0,503
0,503
0,503
Verical
STGP6NC60HD
792
12
USD
0,497
0,497
0,497
TME
2
STGP6NC60HD
136
1
USD
1,490
1,060
0,730
0,690
0,690
19h
DigiKey
497-5122-5-ND
2 000
1
Tube
USD
4,310
4,310
1,995
1,521
1,386

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STGP6NC60HD.

Components Direct

Datasheet18 pagesIl y a 20 ans

Farnell

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTGPL6NC60DI
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 56000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Détails
STMicroelectronicsSTGP10NC60HD
STGP10NC60HD Series N-Channel 600 V 10 A Very Fast IGBT Flange Mount - TO-220
Détails
STMicroelectronicsSTGP10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 20A 65W TO220
Détails
InfineonIKP08N65F5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Détails
InfineonIKP06N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Détails
InfineonIGP06N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STGP6NC60HD fournies par ses distributeurs.

STMICROELECTRONICS STGP6NC60HD IGBT Single Transistor, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
AAA CHIPS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT
Win Source
IGBT, TO-220; DC Collector Current: 15A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 56W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; Operating Tem
Farnell
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, St Microelectronics has designed an advaced family of IGBTs, the PowerMESH(TM) IGBTs, with outstanding performances. The suffix "H" identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) mantaining a low voltage drop.

Images

element14 APAC
DKO Electronshik
TME
Newark
Lanka Micro
LZChips
RS APAC
Jameco (USA)
iiiC

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics