Infineon BSZ100N03LSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
$ 0.177
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsBSZ100N03LSGATMA121
Rochester ElectronicsBSZ100N03LSGATMA150 032
3h
Mouser726-BSZ100N03LSG2 9781Tape & Reel
FarnellBSZ100N03LSGATMA101
3h
Microchip USABSZ100N03LSGATMA12 6093500
7d

Fiches techniques et documents

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Newark

Datasheet9 pagesIl y a 15 ans

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Pièces détachées

InfineonBSC090N03LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Détails
InfineonBSC100N03LSG
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
Détails
InfineonIRFHM8334TRPBF
Single N-Channel 30 V 9 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Détails
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
Détails
onsemiFDS6670AS
N-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiFDS8876
N-Channel 30 V 8.2 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSZ100N03LSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Epart123
Trans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Infineon NMOS OptiMOS 3, Vds=30 V, 40 A, TSDSON, , 8
Unikeyic (ICkey)
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Images

Farnell
Augswan
RS
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSZ100N03LS G
  • BSZ100N03LSG
  • BSZ100N03LSGATMA1.
  • SP000304135