Infineon BSC090N03LSGATMA1

Trans Mosfet N-ch 30V 13A 8-PIN Tdson Ep T/r
$ 0.239
Obsolete
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC090N03LSGATMA11 4761
Arrow Electronics
2
BSC090N03LSGATMA17 5591
Rochester ElectronicsBSC090N03LSGATMA118 303
9h
DigiKey
2
BSC090N03LSGATMA1CT-ND4 9991Cut Tape
AvnetBSC090N03LSGATMA105K
11h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-09-30

Pièces détachées

InfineonBSC079N03LSCGATMA1
Transistor MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin TDSON T/R
Détails
onsemiFDMS7680
FDMS7680 Series 30 V 6.9 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - POWER-56
Détails
InfineonBSC080N03LSGATMA1
Transistor MOSFET N-CH 30V 53A 8-Pin PG-TDSON T/R
Détails
onsemiFDS6670AS
N-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiFDMS7692A
FDMS7692A Series 30 V 13.5 A 8 mOhm SMT N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
Détails
InfineonIRF8714TRPBF
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 8.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC090N03LSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:48A; On Resistance Rds(On):0.0075Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
Newark
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
MOSFET, N CH, 48A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:32W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:48A; Power Dissipation Pd:32W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Images

Newark
RS
TME
iiiC
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC090N03LS G
  • BSC090N03LS-G
  • BSC090N03LSG
  • BSC090N03LSGATMA1.
  • SP000275115