Infineon BSZ0904NSIATMA1

2.1W 20V 1.2V 8.5NC@ 4.5V, 17NC@ 10V 1N 30V 4M¦¸@ 10V 40A 1.1NF@ 15V Son , 3.3MM*3.3MM*1.1MM
$ 0.285
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
50Y1836221
4h
Newark
2
BSZ0904NSIATMA1221Cut Tape
Arrow ElectronicsBSZ0904NSIATMA17 4401
Rochester ElectronicsBSZ0904NSIATMA13 511
1h
DigiKey
3
BSZ0904NSIATMA1CT-ND30 9001Cut Tape

Fiches techniques et documents

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Datasheet9 pagesIl y a 13 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIRFHS8342TRPBF
Single N-Channel 30 V 16 mOhm 4.2 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
Détails
InfineonIRFHS8342TR2PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package
Détails
InfineonBSZ0902NSATMA1
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
onsemiFDMS0312S
MOSFET, N CH, 30V, 42A, POWER 56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
Détails
onsemiFDMC0310AS
N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30V, 21A, 4.4mΩ
Détails
VishaySI4048DY-T1-GE3
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSZ0904NSIATMA1 fournies par ses distributeurs.

2.1W 20V 1.2V 8.5nC@ 4.5V,17nC@ 10V 1N 30V 4m¦¸@ 10V 40A 1.1nF@ 15V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
Unikeyic (ICkey)
30V 75A 3.3mΩ@10V,30A 37W 2V@250uA 1 N-Channel TSDSON-8-EP(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
ODG (Origin Data Global)
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON T/R
Avnet
On a Reel of 5000, Infineon BSZ0904NSIATMA1 MOSFET
Fly-Wing Technology
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Future Electronics
OptiMOS™ 30V in S308 package, PG-TSDSON-8, RoHS
Infineon SCT
BSZ0904NSI Infineon Technologies
YIC International
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Pow
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage 5x6).
Infineon

Images

Farnell
TME
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSZ0904NSI
  • SP000854390