Infineon BSZ018NE2LSATMA1

Trans Mosfet N-ch 25V 23A 8-PIN Tsdson Ep T/r
$ 0.488
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsBSZ018NE2LSATMA19 9101
Rochester ElectronicsBSZ018NE2LSATMA19 422
2h
DigiKey
3
BSZ018NE2LSATMA1CT-ND15 4211Cut Tape
NewarkBSZ018NE2LSATMA101Cut Tape
AvnetBSZ018NE2LSATMA105K
4h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2011-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 year ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

Pièces détachées

InfineonBSC024NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 0.002 ohm, TDSON, Surface Mount
Détails
InfineonBSF030NE2LQXUMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 6-Pin WDSON T/R
Détails
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Détails
onsemiFDMS7676
Single N-Channel 30 V 2.5 W 44 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
Détails
onsemiFDMS3606AS
Asymmetric Dual N-Channel MOSFET, PowerTrench® Power Stage, 30V
Détails
onsemiFDMS7578
N-Channel Power Trench® MOSFET 25V, 60A, 5.8mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSZ018NE2LSATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
Verical
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
MOSFET, N CH, 25V, 153A, TSDSON-FL-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V;
Farnell
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:69W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ018NE2LSATMA1.
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Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSZ018NE2LS
  • BSZ018NE2LSATMA1.
  • BSZ018NE2LSXT
  • SP000756338