onsemi FDMS7578
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-12-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRFHM4234TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
InfineonIRFH4234TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
VishaySIS410DN-T1-GE3
Single N-Channel 20 V 0.0048 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
VishaySIR410DP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
VishaySIS330DN-T1-GE3
SIS330DN-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 19 A, 30 V, 8-PIN POWEPAK 1212
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS7578 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power Trench® MOSFET 25V, 60A, 5.8mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 17A 8-Pin Power 56 T/R
PT7 25V/20V Nch PowerTrench MOSFET
MOSFET, N CH, 25V, 28A, POWER56
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 25V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 25V, 28A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes
• This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.625 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation33 W
Rds On Max5.8 mΩ
Rise Time2.6 ns
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Width6 mm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité