Infineon BSS670S2LH6433XTMA1
$ 0.071
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BSS670S2LH6433XTMA1 | 15 600 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BSS670S2LH6433XTMA1 | 9 900 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | BSS670S2LH6433XTMA1 | 30 000 | 2h | |||||||||
| DigiKey | 448-BSS670S2LH6433XTMA1CT-ND | 11 245 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSS670S2LH6433XTMA1 | 0 | 10K | Tape & Reel |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-08
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Pièces détachées
InfineonIRLML6302PBF
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 780 mA, 600 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de Infineon BSS670S2LH6433XTMA1 fournies par ses distributeurs.
Mosfet, N-Ch, 55V, 0.54A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS670S2LH6433XTMA1
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
BSS670 Series 55V 540mA 360mW 346mOhm Single N-Channel MOSFET SOT23-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.54A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS, Vds=55 V, 540 mA, SOT-23, , 3
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)540 mA
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance825 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation360 mW
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité