Diodes Inc. 2N7002K-7
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Pièces de rechange
Ce composant
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$ 0.074
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Stock
21,877,636
14,711,194
14,711,194
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
300 mA
300 mA
300 mA
Threshold Voltage
1.6 V
2 V
2 V
Rds On Max
2 Ω
2 Ω
2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
-
350 mW
350 mW
Input Capacitance
50 pF
30 pF
30 pF
Pièces détachées
Diodes Inc.2N7002-7-F
2N7002 Series 60 V 7.5 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Vishay2N7002K-T1-GE3
2N7002K Series N-Channel 60 V 2 Ohm 0.6 nC MosFet Surface Mount - SOT-23-3
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. 2N7002K-7 fournies par ses distributeurs.
DIODES INC. - 2N7002K-7 - MOSFET Transistor, N Channel, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1.6 V
2N7002K Series 60 V 2 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
Mosfet, N Channel, 60 V, 800Ma, Sot-23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:800Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):2Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. 2N7002K-7
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Rise Time3.4 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time15.7 ns
Turn-On Delay Time3.9 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité