Infineon BSC093N04LSGATMA1

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 9.3 mOhm, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
$ 0.275
Production
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
60R250746 9321
5h
Newark
3
BSC093N04LSGATMA146 5171Cut Tape
Arrow Electronics
3
BSC093N04LSGATMA148 2751
Future Electronics
2
BSC093N04LSGATMA125 0005KTape & Reel
RutronikTMOSP86905 0005K
11h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

InfineonBSC080N03LSGATMA1
Transistor MOSFET N-CH 30V 53A 8-Pin PG-TDSON T/R
Détails
onsemiFDS6670AS
N-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonBSC079N03LSCGATMA1
Transistor MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin TDSON T/R
Détails
onsemiFDMS7680
FDMS7680 Series 30 V 6.9 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - POWER-56
Détails
onsemiFDMS8880
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 21A, 8.5mΩ
Détails
InfineonIRF7805ZTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC093N04LSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 9.3 mOhm, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
EBV Elektronik
Trans MOSFET N-CH 40V 13A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:49A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.2V; Power Dissipation:35W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC093N04LSGATMA1.
Newark
MOSFET, N CH, 49A, 40V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:49A; Power Dissipation Pd:35W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
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Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC093N04LS G
  • BSC093N04LSG
  • BSC093N04LSGATMA1.
  • SP000387929