Infineon BSC080N03LSGATMA1

Transistor Mosfet N-ch 30V 53A 8-PIN Pg-tdson T/r
$ 0.312
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBSC080N03LSGATMA14
7h
Farnell
3
BSC080N03LSGATMA101Cut Tape
7h
Microchip USABSC080N03LSGATMA1312600Tray
4d
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.BSC080N03LSG3 3571Tape & Reel
8h
Win Source
3
WS-BSC080N03LSGATMA15 33070
8h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BSC080N03LSGATMA1.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 13 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31

Pièces détachées

InfineonIRF7805ZTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRF7805ZPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRFHM8330TRPBF
Single N-Channel 30 V 6.6 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Détails
Diodes Inc.DMN3007LSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SOP T/R
Détails
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
Détails
onsemiFDMS7680
FDMS7680 Series 30 V 6.9 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - POWER-56
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC080N03LSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET N-CH 30V 53A 8-Pin PG-TDSON T/R
Avnet Japan
2.5W 20V 16nC@ 10V 1N 30V 8m¦¸@ 10V 1.3nF@ 15V TDSON-8 , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
UnikeyIC
30V 14A 35W 8mΩ@10V,30A 2.2V@250uA 1 N-Channel TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS
ODG (Origin Data Global)
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 53A, PG-TSDSON
Newark
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
N-CH 30V 53A 8.0mOhm TDSON-8 RoHSconf
Rutronik
MOSFETs N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3
Win Source
BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
DigiKey Marketplace
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:53A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:53A; Power Dissipation Pd:35W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Images

element14 APAC
Augswan
TME
iiiC
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC080N03LS G
  • BSC080N03LSG
  • SP000275114