Infineon BSC0911NDATMA1

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 40A 8-Pin TISON T/R
$ 0.738
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC0911NDATMA14 8751Cut Tape
Arrow ElectronicsBSC0911NDATMA14 3441
Rochester ElectronicsBSC0911NDATMA1158 112
17h
DigiKey
3
BSC0911NDATMA1CT-ND9 6401Cut Tape
Future Electronics
2
BSC0911NDATMA105KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonBSC032NE2LSATMA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Détails
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Détails
onsemiFDMS7572S
FDMS7572S Series 25 V 49 A 2.9 mOhm N-Channel PowerTrench SyncFET - Power56
Détails
VishaySIR862DP-T1-GE3
SIR862DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 32 A, 25 V, 8-PIN POWERPAK SO
Détails
VishaySI4186DY-T1-GE3
SI4186DY-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 36 A, 20 V, 8-PIN SOIC
Détails
InfineonIRF8788TRPBF
Single N-Channel 30 V 2.8 mOhm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC0911NDATMA1 fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 40A 8-Pin TISON T/R
EBV Elektronik
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A T/R
Verical
Dual N-Channel OptiMOS™ MOSFET
Win Source
Infineon Dual NMOS, Vds=25 V, 18 A, PG-TISON-8
UnikeyIC
BSC0911 - 12V-300V N-CHANNEL POW
DigiKey Marketplace
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 40A, TISON-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 900µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Power Dissipation Pd: 2.5W; Transistor Case Style: TISON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Images

Newark
RS
TME
Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC0911ND
  • SP000934746