Infineon BSC082N10LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP
$ 1.689
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBSC082N10LSGATMA13 504
18h
DigiKey
3
BSC082N10LSGATMA1CT-ND1661Cut Tape
AvnetBSC082N10LSGATMA105K
21h
Microchip USABSC082N10LSGATMA12 695600
13h
Win Source
2
WS-BSC082N10LSGATMA115 10029
19h

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Pièces détachées

InfineonIRFS4310ZTRLPBF
Single N-Channel 100V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Détails
InfineonIRFS4310ZPBF
Single N-Channel 100 V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Détails
InfineonAUIRFS4310Z
MOSFET, N-CH, 100V, 127A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Détails
STMicroelectronicsSTL100N10F7
N-channel 100 V, 0.0062 Ohm typ., 19 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Détails
VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTB120NF10T4
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC082N10LSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP
Verical
Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N CH, 100A, 100V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.85V; Power Dissipation Pd:156W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:156W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Images

element14 APAC
Augswan
RS
TME
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC082N10LS G
  • BSC082N10LS G.
  • BSC082N10LSG
  • BSC082N10LSGXT
  • SP000379609