STMicroelectronics STB120NF10T4
$ 1.43
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STB120NF10T4 | 4 000 | 1K | 5d | ||||||||
| Future Electronics | STB120NF10T4 | 4 000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | STB120NF10T4 | 4 000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STB120NF10T4 | 37 000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB120NF10T4 | 37 000 | 1K |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB140NF75T4
STB140NF75T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 75 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB60NF10T4
STB60NF10T4 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB120NF10T4 fournies par ses distributeurs.
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STB120NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 0.0105 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
STMicroelectronics NMOS STripFET II, Vds=100 V, 120 A, D2PAK (TO-263), , 3
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, SMD, D2-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 110A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissi
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight13.607771 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation312 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation312 W
Rds On Max10.5 mΩ
Resistance10.5 mΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time132 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant