Infineon BSC025N03MSGATMA1

30V 100A 2.5m´Î@10V30A 83W 2V@250Ã×A N Channel PG-TDSON-8 MOSFETs ROHS
$ 0.569
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsBSC025N03MSGATMA13 7961
Rochester ElectronicsBSC025N03MSGATMA128 210
21h
DigiKey
2
BSC025N03MSGATMA1CT-ND1391Cut Tape
AvnetBSC025N03MSGATMA105K
4d
FarnellBSC025N03MSGATMA14 0291
16h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BSC025N03MSGATMA1.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 15 ans

Farnell

_legacy Avnet

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iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-10-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

Pièces détachées

InfineonBSC020N03MSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON T/R
Détails
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Détails
onsemiFDMS8660AS
TRANS MOSFET N-CH 30V 28A 8PIN PWR 56
Détails
InfineonBSC030N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Détails
onsemiFDMS7660
N-Channel 30 V 2.8 mOhm Surface Mount Power Trench Mosfet - Power 56
Détails
onsemiFDMS7660AS
N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC025N03MSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

30V 100A 2.5m´Î@10V30A 83W 2V@250Ã×A N Channel PG-TDSON-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON T/R
Avnet
2.5W(Ta),83W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 98nC@ 10 V 1N 30V 2.5m¦¸@ 30A,10V 40A 7.6nF@15V SON 5.9mm*5.15mm*1.27mm
UnikeyIC
BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Vigor Components
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:83W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Images

TME
Newark
TME
iiiC
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC025N03MS G
  • BSC025N03MS-G
  • BSC025N03MSG
  • SP000311505