onsemi FDMS8660AS
$ 1.036
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Pièces détachées
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 176 A, 2 MilliOhms, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS8660AS fournies par ses distributeurs.
2.5W(Ta),104W(Tc) 3V@1mA 83nC@ 10V 1N 30V 2.1m¦¸@ 28A,10V 5.865pF@15V 8PQFN
TRANS MOSFET N-CH 30V 28A 8-PIN POWER 56
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A T/R
The FDMS8660AS has been designed to minimize losses inpower conversion application. Advancements in both silicon andpackage technologies have been combined to offer the lowestrDS(on) while maintaining excellent switching performance. Thisdevice has the added benefit of an efficient monolithic Schottkybody diode.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.865 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.1 mΩ
Resistance2.1 MΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité