Infineon BSC016N03LSGATMA1

Mosfet N-ch 30V 100A TDSON8 / Trans Mosfet N-ch 30V 100A Automotive 8-PIN Tdson Ep T/r
$ 0.796
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBSC016N03LSGATMA136 502
5h
FarnellBSC016N03LSGATMA101
5h
Mouser
2
726-BSC016N03LSG2 8871Tape & Reel
Component Stockers USABSC016N03LSGATMA115 175
7d
Win Source
2
WS-BSC016N03LS G22 70045
6h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BSC016N03LSGATMA1.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 15 ans

Farnell

_legacy Avnet

Burklin Elektronik

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Pièces détachées

InfineonIRFH5300TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Détails
InfineonIRFH8307TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Détails
InfineonIRFH5250TRPBF
Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Détails
onsemiFDMS8820
MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 / Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
Détails
NXP SemiconductorsPSMN1R9-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
Diodes Inc.DMTH3002LPS-13
Transistor MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC016N03LSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 / Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Win Source
MOSFET N-CH 30V 100A 125W TDSON-8 Pb-Free
ACDS
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
PFET, 32A I(D), 30V, 0.0023OHM,
DigiKey
2.5W(Ta),125W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 131nC@ 10 V 1N 30V 1.6m¦¸@ 30A,10V 100A 10nF@15V TDSON-8 5.9mm*5.15mm*1.27mm
UnikeyIC
BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Dasenic
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Images

Farnell
Augswan
TME
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC016N03LS G
  • BSC016N03LSG
  • BSC016N03LSGATMA1.
  • SP000237663