Infineon BFS481H6327XTSA1

BFS481 Series 20 V 20 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-363
$ 0.272
NRND
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DistributorSKUMinPkg
AvnetBFS481H6327XTSA13 0003K
2d
NewarkBFS481H6327XTSA1801Cut Tape
Arrow ElectronicsBFS481H6327XTSA19801
Rochester ElectronicsBFS481H6327XTSA188
16h
DigiKey
2
BFS481H6327XTSA1CT-ND1 5311Cut Tape

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-02-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

Pièces détachées

NXP SemiconductorsBFU550XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Détails
NXP SemiconductorsBFU530XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Détails
NXP SemiconductorsBFU520XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Détails
ROHM2SCR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BFS481H6327XTSA1 fournies par ses distributeurs.

BFS481 Series 20 V 20 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-363
Future Electronics
Bipolar Transistors (BJT); BFS481H6327XTSA1; INFINEON TECHNOLOGIES; NPN; 6; 12 V; 20 mA
Maritex
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN
Semicontronic
Bipolar - RF Transistor, Dual NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363
Avnet
2 NPN (Dual) 175mW 2V 100nA 20V 12V 20mA SOT-26 2mm*1.25mm*900¦Ìm
UnikeyIC
NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA
Infineon
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363
Newark
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A 6-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Jak Electronics
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363; Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 8GHz; Power Dissipation Pd: 175mW; DC Collector Current: 20mA; DC Current Gain hFE: 70hFE; RF Transistor Case: SOT-363; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Images

Infineon
Farnell
TME
Newark
Future Electronics
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BFS 481
  • BFS 481 H6327
  • BFS481
  • BFS481 H6327
  • BFS481-H6327
  • BFS481H6327
  • BFS481H6327 XTSA1
  • SP000750462