ROHM 2SCR523EBTL
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Pièces détachées
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SAR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SAR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiMMBT2907A_D87Z
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Descriptions
Descriptions de ROHM 2SCR523EBTL fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
50V 150mW 120@1mA,6V 100mA NPN SOT-523(SC-75) Bipolar Transistors - BJT ROHS
2SCR523 Series 50 V 100 mA 350 MHz 150 mW NPN Bipolar Transistor - SOT-416FL
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-416FL T/R
300mV@ 5mA,50mA NPN 150mW 5V 100nA 50V 50V 100mA EMT-3F SMD mount 850μm(height)
TRANS, NPN, 50V, 0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 350MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 120hFE;
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product350 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Transition Frequency350 MHz
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