Infineon BFR92PE6327HTSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1987-05-18
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)
Pièces détachées
ROHM2SCR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de Infineon BFR92PE6327HTSA1 fournies par ses distributeurs.
BFR92P Series 15 V 45 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-23-3
NPN Silicon RF Transistor for broadband amplifiers up to 2 GHz and fast non-saturated switches at collector currents from 0.5 mA to 20 mA
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:15V; Transition Frequency:5Ghz; Power Dissipation:280Mw; Continuous Collector Current:45Ma; No. Of Pins:3Pins; Dc Current Gain Hfe Min:100Hfe; Transistor Mounting:Surface Mount Rohs Compliant: Yes |Infineon BFR92PE6327HTSA1.
RF TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency Typ ft:5GHz; Power Dissipation Pd:280mW; DC Collector Current:45mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Associated Gain Ga:16dB; Av Current Ic:45mA; Continuous Collector Current Ic:45mA; Continuous Collector Current Ic Max:30mA; Current Ic Continuous a Max:30mA; Current Ic hFE:14mA; Gain Bandwidth ft Min:3.5GHz; Gain Bandwidth ft Typ:5GHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Noise Figure Typ:1.4dB; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Ptot Max:280mW; SMD Marking:GF; Termination Type:SMD; Test Frequency:900MHz; Transistor Case Style:SOT-23; Voltage Vcbo:20V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)15 V
Current Rating45 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)2.5 V
Frequency5 GHz
hFE Min70
Max Collector Current30 mA
Max Frequency5 GHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation280 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Noise Figure1.4 dB
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation280 mW
Power Gain16 dB
TerminationSMD/SMT
Test Frequency900 MHz
Transition Frequency5 GHz
Voltage Rating (DC)15 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité