Infineon BFR35APE6327HTSA1

Bipolar junction transistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1
$ 0.135
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkBFR35APE6327HTSA11 9935Cut Tape
Arrow Electronics
3
BFR35APE6327HTSA13 3451
Rochester ElectronicsBFR35APE6327HTSA11 009 843
2h
DigiKey
3
448-BFR35APE6327HTSA1CT-ND4 0801Cut Tape
Future ElectronicsBFR35APE6327HTSA103KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet6 pagesIl y a 12 ans

Newark

Burklin Elektronik

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-05-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

NXP SemiconductorsBFU550XRR
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R / RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143R
Détails
NXP SemiconductorsBFU530XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Détails
onsemiBC848BMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
NXP SemiconductorsBFU520XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Détails
ROHM2SCR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BFR35APE6327HTSA1 fournies par ses distributeurs.

Bipolar junction transistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1
Burklin Elektronik
NPN Silicon RF Transistor for low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 0.5mA to 20 mA
Infineon
RF TRANSISTOR, NPN, 15V, 5GHZ, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15V; Transition Frequency ft: 5GHz; Power Dissipation Pd: 280mW; DC Collector Current: 45mA; DC Current Gain hFE: 70hFE; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 45 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 15 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2.5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 5 / Power Dissipation (Pd) mW = 280 / Package Type = SC-59 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Distrelec

Images

Infineon
Farnell
Farnell
Distrelec
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BFR 35AP E6327
  • BFR35AP
  • BFR35AP E6327
  • BFR35AP-E6327
  • BFR35APE6327
  • SP000011060