Infineon BFP640H6327XTSA1

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN
$ 0.238
NRND
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
3
BFP640H6327XTSA11 9131
Rochester ElectronicsBFP640H6327XTSA124 548
15h
DigiKey
2
BFP640H6327XTSA1CT-ND1 5651Cut Tape
Newark
2
BFP640H6327XTSA105Cut Tape
AvnetBFP640H6327XTSA103K
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BFP640H6327XTSA1.

IHS

Datasheet21 pagesIl y a 7 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 days ago)

Pièces détachées

NXP SemiconductorsBFU550XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Détails
NXP SemiconductorsBFU730LXZ
Trans Gp Bjt Npn 3V 0.03A 3-Pin Dfn_C T/R Rohs Compliant: Yes |NXP Semiconductors BFU730LXZ
Détails
NXP SemiconductorsBFU530XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Détails
ROHM2SCR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BFP640H6327XTSA1 fournies par ses distributeurs.

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN
Semicontronic
RF TRANSISTOR, SOT-343; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 4V; Transition Frequency ft: 40GHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 50mA; DC Current Gain hFE: 180hFE; RF Transistor Case
Farnell
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 4.1 / DC Current Gain (hFE) = 180 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 13 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 1.2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 42 / Power Dissipation (Pd) mW = 200 / Package Type = SOT-343 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Distrelec
Summary of Features: High gain low noise RF transistor; Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications; Ideal for CDMA and WLAN applications; Outstanding noise figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz ,Outstanding noise figure F = 1.2 dB at 6 GHz; High maximum stable gain :Gms = 24 dB at 1.8 GHz; Gold metallization for extra high reliability; 70 GHz fT-Silicon Germanium technology; Pb-free (RoHS compliant) package1); Qualified according AEC Q101
Infineon

Images

Infineon
Augswan
Farnell
Newark
RS
TME
Distrelec
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BFP 640 H6327
  • BFP-640-H6327
  • BFP640
  • BFP640 H6327
  • BFP640,H6327
  • BFP640-H6327
  • BFP640H6327
  • SP000745306