Infineon BFP193WH6327XTSA1

BFP193W Series 12 V 80 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-343
$ 0.122
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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 days ago)

Pièces détachées

NXP SemiconductorsBFU550XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
NXP SemiconductorsBFU520XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiBC848BMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsBFU520XRVL
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Descriptions

Descriptions de Infineon BFP193WH6327XTSA1 fournies par ses distributeurs.

BFP193W Series 12 V 80 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-343
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-343; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:580mW; DC Collector Current:80mA; DC Current Gain hFE:70hFE; RF
Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 80 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 12 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 8 / Power Dissipation (Pd) mW = 580 / Package Type = SOT-343 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101
RF TRANSISTOR, NPN, SOT-343; Transistor Type:RF Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:12V; Continuous Collector Current Ic:80mA; ft, Typ:8GHz; Case Style:SOT-343; Power Dissipation Pd:580mW; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Associated Gain Ga:20.5dB; Noise:1dB; Test Frequency:900MHz; Transistors, No. of:1; ft, Min:6000MHz; Current Ic @ Gms:30mA; Current Ic Continuous a Max:0.05A; Current Ic Fc Measurement:10mA; Current Ic Max:0.05A; Current Ic av:80mA; Current Ic hFE:30mA; Gms:13dB; Min Hfe:50; Noise Level, Fc @ Ic:2.1dB; Power, Ptot:580mW; SMD Marking:RCs; Voltage, Vcbo:20V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BFP 193W H6327
  • BFP193W
  • BFP193W H6327
  • BFP193WH6327
  • SP000745248