Infineon BCW67CE6327HTSA1
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Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BCW67CE6327HTSA1 | 170 000 | 22h | |||||||||
| Mouser | 726-BCW67CE6327 | 11 703 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | BCW67CE6327HTSA1 | 142 000 | 5650 | |||||||||
| Win Source | WS-BCW67C | 33 000 | 1140 | 23h | ||||||||
| Worldway Electronics | BCW67C | 19 658 | 7 | Bulk | 22h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-11-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-10-15
LTD Date2016-10-15
Pièces détachées
onsemiFJV4110RMTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
onsemiFJV3109RMTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
onsemiFJV4101RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiBC859BLT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
onsemiFJV3106RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de Infineon BCW67CE6327HTSA1 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23
700mV@ 50mA,500mA PNP 330mW 5V 20nA 45V 32V 800mA SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*900¦Ìm
PNP 32V 0,8A 0,33W B:250-630 SOT23
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BCW67 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR;
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Continuous Collector Current800 mA
Current Rating-800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency200 MHz
hFE Min100
Max Collector Current800 mA
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation330 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-32 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité