onsemi FJV4101RMTF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-11-19
LTD Date2018-05-19
Pièces détachées
onsemiFJV4110RMTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
onsemiMMUN2113LT1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Descriptions
Descriptions de onsemi FJV4101RMTF fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
Pre-Biased "Digital" Transistor,50V V(Br)Ceo,100Ma I(C),Sot-23
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
PNP Epitaxial Silicon Transistor Product Highlights: Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7KW, R2=4.7KW) Complement to FJV3101R
Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-10 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité