Infineon BCW61DE6327HTSA1
$ 0.069
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BCW61DE6327HTSA1 | 205 618 | 1d | |||||||||
| Mouser | 726-BCW61DE6327 | 32 375 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | BCW61DE6327HTSA1 | 54 000 | 7076 | |||||||||
| Win Source | WS-BCW61DE6327HTSA1 | 2 810 | 1855 | 12h | ||||||||
| Worldway Electronics | BCW61DE6327HTSA1 | 18 491 | 7 | Tape & Reel | 11h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1990-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-12-31
Pièces détachées
onsemiFJV4109RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiFJV4110RMTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
onsemiBC859BLT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Diodes Inc.DDTA114ECA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA113ZCA-7-F
DDTA Series 200 mW 1 KO / 10 KO PNP Pre-Braised Small Signal Transistor - SOT-23
NXP Semiconductors2PB709AR,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 210 @ 2mA 10V 100mA 250mW 70MHz
onsemiNSCT3904LT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
onsemiNSCT3906LT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP 3 Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 10mA 1V 200mA 225mW 250MHz
onsemiNSCT3906LT3G
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP 3 Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 10mA 1V 200mA 225mW 250MHz
NXP Semiconductors2PD601AR,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
ROHM2SAR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiMMBT2907A_D87Z
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
ROHM2SAR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SAR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de Infineon BCW61DE6327HTSA1 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23
Compliant Surface Mount 1.3 mm 900 µm 2.9 mm PNP 250 MHz Lead Free
PNP 32V 0,1A 0,25W B:380-630 SOT23
BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR;
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage550 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation330 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-32 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité