NXP Semiconductors 2PD601AR,115
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Fiches techniques et documents
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-12-31
LTD Date2010-06-30
Pièces détachées
NXP Semiconductors2PB709AR,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 210 @ 2mA 10V 100mA 250mW 70MHz
onsemiNSCT3904LT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
onsemiNSCT3906LT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP 3 Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 10mA 1V 200mA 225mW 250MHz
onsemiNSCT3906LT3G
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP 3 Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 10mA 1V 200mA 225mW 250MHz
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors 2PD601AR,115 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
100 mA 50 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
2PD601A series - NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin MPAK T/R
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +0.00%
Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min210
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency100 MHz
Fiches techniques et documents
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