Infineon AUIRLR3110Z
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1,451,802
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Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
1 V
-
-
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.98 nF
3.98 nF
3.98 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
Pièces détachées
InfineonIRLR3110ZTRPBF
TAPE AND REEL / MOSFET, 100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
InfineonIRLR3110ZTRLPBF
MOSFET, 100V, 63A, 14 MOHM, 34 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK | Infineon IRLR3110ZTRLPBF
Descriptions
Descriptions de Infineon AUIRLR3110Z fournies par ses distributeurs.
AUIRLR3110Z N-channel MOSFET Transistor, 63 A, 100 V, 3-Pin TO-252AA
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 100V, 63A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.98 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time110 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité