Infineon AUIRFZ44VZS
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Obsolete
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 4.18
$ 1.25
Stock
102,267
303,592
Authorized Distributors
2
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
57 A
57 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
12 mΩ
12 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
92 W
92 W
Input Capacitance
1.69 nF
1.69 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
Pièces détachées
InfineonAUIRFZ44ZS
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS3806
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon AUIRFZ44VZS fournies par ses distributeurs.
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET, N CH, 60V, 57A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:92W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
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Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.69 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation92 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12 mΩ
Package Quantity1000
PackagingRail/Tube
Power Dissipation92 W
Rds On Max12 mΩ
Rise Time62 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité