Infineon AUIRF7736M2TR
$ 2.014
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRF7736M2TR | 35 095 | 22h | |||||||||
| DigiKey | 448-AUIRF7736M2TRCT-ND | 4 999 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | AUIRF7736M2TR | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | AUIRF7736M2TR | 0 | 4800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | AUIRF7736M2TR | 0 | 4800 | 2d |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-10-15
LTD Date2027-04-15
Pièces détachées
InfineonIRFS7440TRLPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS8405
MOSFET, 40V, 120A, Q101, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
InfineonIRFS7440PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon AUIRF7736M2TR fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 9-Pin Direct-FET M4 T/R
Single N-Channel 40 V 3 mOhm 72 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
A 40V Automotive Grade Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET M4 package rated at 108 amperes optimized with low on resistance for applications such as motor drive, high frequency DC-DC and other heavy load systems. Shipped in Tape and Reel o
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, Directfetm4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:108A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.0025Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies AUIRF7736M2TR
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.267 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time43 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height740 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité