onsemi SI3948DV
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD | SI3948DV | Contact | >1wk | |||||||||
| Nexxon Inc. (USA) | SI3948DV | Contact | >1w |
Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySI2307CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
VishaySI2304BDS-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
onsemiCPH3455-TL-H
Single N-Channel 35 V 208 mOhm 4 nC 1 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Descriptions
Descriptions de onsemi SI3948DV fournies par ses distributeurs.
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL N-CHAN LOGIC LEVEL PWRTRENCH MOSFET
MOSFETs 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Number of Pins26
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation960 mW
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
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