Diodes Inc. ZXMN4A06GTA
$ 0.538
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN4A06GTA | 5 536 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMN4A06GCT-ND | 1 365 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN4A06GTA | 22 | 22 | |||||||||
| Verical | ZXMN4A06GTA | 22 | 22 | |||||||||
| TME | ZXMN4A06GTA | 253 | 1 | 22h |
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Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMP4A16GTA
ZXMP4A16G Series 40 V 0.06 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
InfineonIRLL3303TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZXMN4A06GTA fournies par ses distributeurs.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7A; 0.05ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Surface Mount
Single N-Channel 40 V 3.9 W 18.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd
N Channel Mosfet, 40V, 7A, Sot-223; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:7A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:40V; Resistencia De Activación Rds(On):50Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:4 |Diodes Inc. ZXMN4A06GTA
MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Dissipation Pd: 3.9W; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (15-Jan-2019); Current Id Max: 7A; Current Temperature: 25°C; Junction Temperature Tj Max: 150°C; Junction Temperature Tj Min: -55°C; No. of Transistors: 1; On State Resistance Max: 50mohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max: 3.9W; Pulse Current Idm: 22A; SMD Marking: ZXMN 4A06; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 40V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Min: 1V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance770 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance75 mΩ
Rise Time4.45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time28.61 ns
Turn-On Delay Time2.55 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité