Diodes Inc. ZXMN3F31DN8TA
$ 0.351
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | ZXMN3F31DN8TA | 1 000 | 500 | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN3F31DN8TA | 1 000 | 500 | |||||||||
| DigiKey | ZXMN3F31DN8CT-ND | 3 774 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMN3F31DN8TA | 0 | 500 | 17h | ||||||||
| Avnet | ZXMN3F31DN8TA | 0 | 500 | 1d |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZXMN3F31DN8TA fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
2.1W 20V 3V@ 250¦ÌA 12.9nC@ 10V 2N 30V 24m¦¸@ 7A,10V 5.7A 608pF@15V SOIC-8 5mm*4mm*1.5mm
Dual N-Channel 30 V 0.024 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOP-8
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 8-Pin SO T/R
DUAL 30V 7A 24mOhm SO-8 RoHSconf
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance608 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Rds On Max24 mΩ
Resistance24 mΩ
Rise Time3.3 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité