Diodes Inc. ZXMN2AMCTA
$ 1.68
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 31-ZXMN2AMCTACT-ND | 4 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | ZXMN2AMCTA | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Microchip USA | ZXMN2AMCTA | 126 | 600 | Tray | 3d | |||||||
| Win Source | WS-ZXMN2AMCTA | 8 300 | 75 | 12h | ||||||||
| Aztech | ZXMN2AMCTA | 12 082 | 2d |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMS2120LFWB-7
1.5W(Ta) 12V 1.3V@ 250¦ÌA 1P 20V 95m¦¸@ 2.8A,4.5V 2.9A 632pF@10V WDFN-30208 3mm*2mm*780¦Ìm
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZXMN2AMCTA fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 20V 3.7A 8-Pin DFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SM8 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.5 W
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time1.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance299 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.45 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.45 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time2.6 ns
Turn-Off Delay Time1.6 ns
Turn-On Delay Time2.3 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité