Diodes Inc. ZXMC4559DN8TA
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25 Series 60 V 0.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
InfineonIRF7343TRPBF
Dual N/P-Channel 55 V 0.05/0.105 Ohm 24/26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZXMC4559DN8TA fournies par ses distributeurs.
ZXMC4559DN8 Series 60 V 0.55 Ohm Dual N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC-8
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET, N & P CHANNEL, DUAL, 60V, 4.7A, SOIC-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.25 W
MOSFET, DUAL, NP, 60V, SO-8; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 3.9A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Po
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Current Rating4.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.063 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max55 mΩ
Resistance105 mΩ
Rise Time4.1 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité