STMicroelectronics STS5NF60L
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-10-03
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTS5DNF60L
Dual N-Channel 60 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II Power Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STS5NF60L fournies par ses distributeurs.
N-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount STripFET Power Mosfet - SOIC-8
N-Channel 60V - 0.045 Ohm - 5A - SO-8 STripFET MOSFET
STS5NF60L N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5 A, 60 V, 8-PIN SOIC
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube DeepGate, STripFETseries, Vds=60 V, 5 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
MOSFET, N CH, 60V, 5A, 8-SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power
Mosfet, N Ch, 60V, 5A, 8-Soic; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):45Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:8 |Stmicroelectronics STS5NF60L
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max55 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant