Diodes Inc. ZTX658
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$ 0.421
Stock
231,136
412,008
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
400 V
400 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
40
40
Power Dissipation
1 W
-
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZTX658 fournies par ses distributeurs.
ZTX658 Series 400 V 0.5 A NPN Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
500mV@ 10mA,100mA NPN 1W 5V 100nA 400V 400V 500mA TO-92 , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Transition Frequency Typ, ft:50MHz; Power Dissipation, Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain Max (hfe):50 ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:50; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Continuous Collector Current Ic Max:500mA; Current Ic @ Vce Sat:100mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:200mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:50MHz; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:400V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Manufacturer Package IdentifierE-Line
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité