Diodes Inc. FZT953TA
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Stock
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96,341
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
5 A
5 A
Transition Frequency
125 MHz
120 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
420 mV
420 mV
hFE Min
30
10
Power Dissipation
3 W
3 W
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZX5T953GTA
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. FZT953TA fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
TRANS PNP 100V 5A SOT-223 / Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
FZT953 Series PNP 5 A 100 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS VCEO=100V VEBO=6V IC=5A
Bipolar Transistors - BJT PNP HighCt Low Sat
100 VOLT PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
TRANSISTOR, PNP, REEL 1K; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V; Typ Gain Bandwidth ft:125MHz; Power Dissipation Pd:3W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; Case Style:SOT-223; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Max Current Ic:6A; Max Current Ic Continuous a:6A; Max Power Dissipation Ptot:3W; Max Voltage Vce Sat:50mV; Min Hfe:100; No. of Transistors:1; Power Dissipation:3W; Pulsed Current Icm:10A; Reel Quantity:1000; SMD Marking:FZT953; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bipolar; Voltage Vcbo:200V
TRANSISTOR, PNP, REEL 1K; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:3W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case St
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage420 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency125 MHz
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current5 A
Max Frequency125 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité