Diodes Inc. FZT853TA
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6
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
6 A
6 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
340 mV
340 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
3 W
3 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXTN2011GTA
ZXTN2011G Series 100 V 6 A NPN SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223
Diodes Inc.ZX5T853GTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. FZT853TA fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
FZT853 Series NPN 6 A 100 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223
Bipolar Transistors (BJT); FZT853TA; DIODES; NPN; 4; 100 V; 6 A
Trans GP BJT NPN 100V 6A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
100V 3W 100@2A,2V 6A Npn Sot2234 Bipolar Transistors Bjt Rohs
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
NPN TRANSISTOR 100V 6A 3WSOT223
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V; Typ Gain Bandwidth ft:130MHz; Power Dissipation Pd:3W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; Case Style:SOT-223; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Max Current Ic:6A; Max Current Ic Continuous a:6A; Max Power Dissipation Ptot:3W; Max Voltage Vce Sat:50mV; Min Hfe:100; No. of Transistors:1; Power Dissipation:3W; Pulsed Current Icm:10A; Reel Quantity:1000; SMD Marking:FZT853; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bipolar; Voltage Vcbo:200V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)200 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage340 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current6 A
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current6 A
Max Frequency130 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité