Infineon IRF7807ZTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 11 Milliohms; Id 11A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7807ZTRPBF04KBulk
12h
Farnell
2
IRF7807ZTRPBF01Cut Tape
20h
Microchip USAIRF7807ZTRPBF2 7363KTray
12h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IRF7807ZTRPBF3 8001Tape & Reel
20h
Win SourceWS-1600546 000120
20h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF7807ZTRPBF.

TME

Datasheet10 pagesIl y a 19 ans

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Pièces détachées

InfineonIRF8707TRPBF
IRF8707TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Détails
InfineonSI4410DYPBF
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses
Détails
InfineonIRF9393TRPBF
Single P-Channel 30 V 13.3 mOhm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Détails
Diodes Inc.DMS3015SSS-13
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
Détails
Diodes Inc.DMG4407SSS-13
1.45W(Ta) 25V 3V@ 250¦ÌA 20.5nC@ 10 V 1P 30V 11m¦¸@ 12A,20V 9.9A 2.246nF@15V SOIC-8 1.75mm
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF7807ZTRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 11A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 30 V 18.2 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
HEXFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:11A; On Resistance, Rds(on):18.2mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 11 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13.8 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.1 / Rise Time ns = 6.2 / Turn-OFF Delay Time ns = 10 / Turn-ON Delay Time ns = 6.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Distrelec

Images

Infineon
Augswan
TME
element14 APAC
Distrelec
LZChips
RS
International Rectifier
iiiC
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF7807ZTRPBF.
  • SP001570494